大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于硅基纳米材料的问题，于是小编就整理了2个相关介绍硅基纳米材料的解答，让我们一起看看吧。
硅基芯片的极限是多少纳米？
传统的硅基芯片的极限是1纳米
，而碳基芯片可以做到1纳米以内，这对性能的提升有巨大帮助；理论上，同样制程的碳基芯片的运行速度是传统硅基芯片的10倍，即用20纳米制程制作的碳基芯片性能相当于2纳米制程制作的硅基芯片，并且碳基芯片相比功耗也降低了十分之一。
个人认为是1纳米。
硅原子的尺寸是0.234纳米，1纳米只能排列5个硅原子，而考虑到掺杂问题，良品率已经非常难以保证，成本会非常高。
1纳米之后，只能走其它的道路才能继续发展芯片产业。
1nm
按照科学家的预计，硅基芯片的物理极限在1nm。而按照晶圆厂们的工艺演进，3nm后的工艺是2nm，再之后的工艺是1.4nm，再之后可能就没办法演进了，因为硅基材料所限，无法再往1nm以下推进了
碳基芯片优势与缺点？
碳基芯片的优势：
1）同样的工作，碳基芯片绕过了光刻机与光刻胶的瓶颈。
2）碳基芯片具有很强的延展性
3）碳基芯片应用领域更为广泛。
4）电子在以碳晶体为载体的芯片内比在硅晶体内更容易移动，具有更快的传输数率。
5）成本更低、功耗更小、效率高的特点。
碳基芯片的缺点：
耐久都不是特别高，容易出现损坏，非常容易破损，会受到核磁的影响，会受到核辐射的影响。
到此，以上就是小编对于硅基纳米材料的问题就介绍到这了，希望介绍关于硅基纳米材料的2点解答对大家有用。